물리화학적 안정성이 매우 우수하며(고경도, 고융점, 화학적 불활성), 광학 투과성이 좋고(특히 가시광 및 자외선 영역), 절연성이 뛰어나며 GaN과 양호한 에피택셜 성장이 가능하고 결정 품질 제어가 용이하며 기계적 강도가 높습니다. 공정이 성숙하고 안정적이며 장비 호환성이 좋고 원가가 상대적으로 저렴합니다.
결정 소재 | 고순도 Al2O3（99.996%） | |
| 성능 항목 | 목표값 | 허용 오차 |
| 직경（mm） | 100 | ±0.1 |
| 두께（μm） | 660 | ±10 |
| A면（11-20） 배향 | 0° | ±0.1° |
| M면（1-100） 배향 | 0.2° | ±0.05° |
| 오리엔테이션 플랫 길이（mm） | 30 | ±1 |
| 전면 거칠기 Ra（nm） | ≤0.3 | |
