LED 에피택셜 웨이퍼 성장의 기본 원리는 다음과 같습니다: 적정 온도로 가열된 기판(주로 사파이어 및 GaAs) 위에 기상 물질을 제어하여 기판 표면으로 공급하고 특정 단결정 박막을 성장시키는 것입니다. 현재 LED 에피택셜 웨이퍼 성장 기술은 주로 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)을 사용합니다. LED 에피택셜 웨이퍼 기판 소재는 반도체 조명 산업 기술 발전의 기초입니다. 기판 소재에 따라 요구되는 LED 에피택셜 성장 기술, 칩 가공 기술 및 소자 패키징 기술이 달라지며, 기판 소재는 반도체 조명 기술의 발전 방향을 결정합니다.