BOE HC 세미텍 직접 디스플레이 사업부는 2007년에 설립되었습니다. 설립 초기부터 해외 선진 생산라인을 도입하고 대만의 유명 칩 제조업체와 긴밀하게 협력하여 규모화된 판매와 생산을 동시에 실현하였습니다. 2010년 매출액은 디스플레이 세분 시장에서 국내 2위에 달했으며 이듬해 1위를 차지하였습니다. 2013년 BOE HC 세미텍 장자강 공장이 가동됨에 따라 직접 디스플레이 사업부는 국내 디스플레이 세분 분야에서의 영향력과 발언권을 한층 더 확대하였습니다. 현재 국내 세분 분야에서 30%의 시장점유율을 확보하고 있으며 삼성, LG, 조우밍 테크놀로지, 동산정밀, 리아드, 론지안, 아이비슨, 시다, 레이만, 궈싱, 징타이 등 국내외 유명 기업과 장기적으로 긴밀한 협력 관계를 유지하고 있습니다.

BOE HC 세미텍 백라이트 사업부의 기원은 2014년으로 거슬러 올라갑니다. 직접 디스플레이 및 조명 시장에서 회사의 지속적인 돌파를 거쳐 2015년 BOE HC 세미텍은 백라이트 시장에 전면 진출하였고 빠르게 시장 기반을 확보하였습니다. 이우 공장이 생산에 들어감에 따라 당사는 차세대 생산라인을 적극 도입하고 규모의 경제 및 원가 경쟁력을 지속적으로 발휘하였습니다. 이를 통해 백라이트 세분 시장의 제1그룹에 자리 잡았으며 LG, 삼성, BOE, 델, 에이수스, 샤오미, 화웨이 등 국내외 일류 대기업의 인정을 받고 있습니다.

BOE HC 세미텍 조명 사업부는 2012년에 출범하였습니다. 국내 조명 시장의 급속한 성장과 장자강 공장의 규모 효과 및 원가 경쟁력을 바탕으로 2013년 전면 생산을 개시하였습니다. 2012‑2014년 사이 매출 규모를 두 배로 늘리는 데 성공했으며 2015년에는 업계 세분 분야 TOP2로 성장하였습니다. 최근 몇 년간 BOE HC 세미텍은 고광효율 조명, 특수 조명, 차량용 조명, 식물 조명 등 진입 장벽이 높은 세분 시장에 단계적으로 진출하였습니다. 현재 훙리, 무린센, 징코 등 국내 기업과 필립스, GE조명, 오스람, 랜드반스, 크리, 레이쉬, 인피니트 등 국내외 유명 패키징 및 단말 기업들과 긴밀한 협력 관계를 유지하고 있습니다.

BOE HC 세미텍 혁신 사업부는 2012년에 출범하였으며, 현재 필립스, GE조명, 오스람, 랜드반스, 크리, 레이쉬, 인피니트 등 국내외 유명 패키징 및 단말 기업들과 긴밀한 협력 관계를 유지하고 있습니다.

2025년, 회사는 주하이 진완구에서 Micro 제품 납품식을 개최하고 COW 및 MPD 제품을 공개한 뒤 고객에게 정식으로 납품하였습니다. 이는 Micro‑LED 기술이 양산 생산의 새로운 단계로 진입했음을 의미합니다.

BOE HC 세미텍은 자체 개발한 고성능 적외선 LED 칩을 보유하고 있으며, 성숙한 반도체 제조 공정을 기반으로 뛰어난 광전 변환 효율, 고광효율 및 저전력 소모 특성을 구현하여 기기 사용 경험을 크게 향상시킵니다. 제품은 우수한 전류 충격 내성을 갖추고 있으며 칩의 광전 파라미터가 고도로 통일되고 배치별 일관성이 뛰어나 색상 편차 및 성능 편차 문제를 원천적으로 방지합니다. 아울러 안정성과 신뢰성이 높고 광감쇠가 적으며 수명이 길어 터치 패널, 혈중산소 모니터링 등 다양한 분야에 폭넓게 적용되며 단말 기기에 안정적이고 고품질의 적외선 광원 핵심 부품을 지원합니다.

커스터마이징 서비스, 차량용 조명 전 계열 제품

적용 카테고리：전조등, 방향지시등, 무드등 등

제품 커버：매트릭스 타입, 정면실장/플립칩

제품 종류：2016, 3127, 3139, 3152 등

고색영역, 고휘도 광원 일체화 솔루션을 제공합니다.

적용 카테고리：TV, MNT, DID, NB 차재 등 백라이트

제품 커버：직하형/측입형, 청색광/백색광, 정면실장/플립칩 등

제품 종류：3030, 2016, 2835, 4014 등

첨단 적색광 기술, 풍부한 칩 자원, 강력한 기술 역량

적용 카테고리：세라믹, PCT 등

제품 커버：백색광, 청색광, 적색광

제품 종류：3030, 2835, 3535 등

질화갈륨 IDM 기업으로서 당사는 기판 제작부터 에피택셜 웨이퍼 성장에 이르는 전 과정을 자체적으로 수행합니다. 자체 개발한 GaN 에피택시 구조를 기반으로 디바이스의 횡방향 항복전압(BV)은 2000V 이상에 도달하며 700V급 디바이스의 신뢰성 여유도 크게 향상되었고, 1200V급 디바이스용 에피택시 기술도 확보해 두었습니다. 제품은 고속 충전기, 차재 충전기, 데이터센터 전원 등 분야에 폭넓게 적용되며 높은 전자 이동도와 낮은 온 저항 손실 특성으로 소비전자, 신에너지 자동차 및 산업 분야의 에너지 효율 고도화를 추진하고 ‘차이나 칩’의 전 장면 적용을 뒷받침합니다.

BOE HC 세미텍은 다년간의 기술 축적과 혁신 실천을 바탕으로 질화갈륨 분야의 중요한 참여자로 성장하였습니다. 2005년 설립 이후 20년간 BOE HC 세미텍은 질화갈륨 소재의 연구개발과 양산에 지속적으로 집중하여 세계 선도 수준의 질화물 특허 포트폴리오를 확보하였습니다. 당사는 자체 연구개발을 견지하고 시장 수요를 지향점으로 삼아 고객에게 더욱 고효율이고 신뢰할 수 있는 전자 솔루션을 제공하는 데 힘쓰고 있습니다. IDM 기업으로서 당사의 사업 포트폴리오는 디바이스 설계, 기판, 에피택시, 칩 공정 등 다수의 과정을 아우르며 설계·제조 측면에서 일체화 경쟁력을 보유하고 있어 시장 수요를 효율적으로 충족하고 지속가능한 발전 역량을 갖추고 있습니다.

사파이어 결정 성장, 절단, 연마 등 핵심 공정을 주도하며 제품은 LED 칩 기판 및 소비전자용 사파이어 소재를 포함한다.

LED 사파이어 기판: 반도체 조명에 기초 소재를 공급하며 하류 칩 제조를 뒷받침한다.

그래픽 사파이어 기판(PSS)은 고급 LED 칩 제조의 핵심 소재로, 기판 표면에 정밀한 미세나노 구조 패턴을 형성하여 LED의 발광 효율과 성능을 크게 향상시킬 수 있습니다.

LED 에피택셜 웨이퍼 성장의 기본 원리는 다음과 같습니다: 적정 온도로 가열된 기판(주로 사파이어 및 GaAs) 위에 기상 물질을 제어하여 기판 표면으로 공급하고 특정 단결정 박막을 성장시키는 것입니다. 현재 LED 에피택셜 웨이퍼 성장 기술은 주로 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)을 사용합니다. LED 에피택셜 웨이퍼 기판 소재는 반도체 조명 산업 기술 발전의 기초입니다. 기판 소재에 따라 요구되는 LED 에피택셜 성장 기술, 칩 가공 기술 및 소자 패키징 기술이 달라지며, 기판 소재는 반도체 조명 기술의 발전 방향을 결정합니다.