물리화학적 안정성이 매우 우수하며(고경도, 고융점, 화학적 불활성), 광학 투과성이 뛰어나고(특히 가시광 및 자외선 영역), 절연 특성이 좋으며 GaN과 양호한 에피택셜 성장이 가능하고 결정 품질 제어가 용이하며 기계적 강도가 높습니다. 공정이 성숙하고 안정적이며 장비 호환성이 우수하고 원가가 상대적으로 저렴합니다.
| 결정 소재 | 고순도 Al2O3（99.996%） |
| 항목 | 기준 |
| 직경（mm） | 50.9±0.03 |
| 잉곳 축방향 | C방향 ±0.1° |
| 가이드면 결정 방위 | A방향 ±0.1° |
| r축 방향 | 9시 방향 |
